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一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片
引用本文:贾玉伟,许春良,魏洪涛,喻梦霞,高学邦. 一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片[J]. 半导体技术, 2009, 34(7). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.22
作者姓名:贾玉伟  许春良  魏洪涛  喻梦霞  高学邦
作者单位:中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;电子科技大学,成都,610054;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;电子科技大学,成都,610054
基金项目:国家重点基础研究发展计划资助 
摘    要:采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线.该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构.工作频率8~10 GHz,整个带内插入损耗小于0.7 dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9 GHz点频下测得1 dB压缩点输入功率大于31 dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5 V/-5 V供电,在+5 V工作条件下,电流20 mA.该芯片面积为2.0 mm×1.4 mm.

关 键 词:单端匹配  功率  微波单片集成电路  单刀单掷  PIN二极管  插入损耗

Single-Port Absorptive PIN SPST Power Switch MMIC
Jia Yuwei,Xu Chunliang,Wei Hongtao,Yu Mengxia,Gao Xuebang. Single-Port Absorptive PIN SPST Power Switch MMIC[J]. Semiconductor Technology, 2009, 34(7). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.22
Authors:Jia Yuwei  Xu Chunliang  Wei Hongtao  Yu Mengxia  Gao Xuebang
Abstract:
Keywords:
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