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基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计
引用本文:谢媛媛,贾玉伟,方家兴,曾志,周鑫,赵子润.基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计[J].舰船电子对抗,2017,40(2).
作者姓名:谢媛媛  贾玉伟  方家兴  曾志  周鑫  赵子润
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄,050051
摘    要:基于陶瓷方形扁平无引脚(QFN)封装研制出4款X波段GaAs微波单片集成电路(MMIC),包括GaAs幅相控制多功能芯片(MFC)、功率放大器、低噪声放大器、开关限幅多功能芯片.利用QFN技术将这套芯片封装在一起,组成2 GHz带宽的QFN封装收/发(T/R)组件,输出功率大于1W,封装尺寸为9 mm×9 mm×1 mm.通过提高GaAsMMIC的集成度、放大器单边加电、内部端口匹配,创新性地实现了微波T/R组件的小型化.这几款芯片中最复杂的X波段幅相控制多功能芯片集成了T/R开关、六位数字移相器、五位数字衰减器、增益放大器及串转并驱动器.在工作频段内,收发状态下,增益大于5 dB,1 dB压缩输出功率(P-1)大于7 dBm,移相均方根(RMS)误差小于2.5.,衰减均方根误差小于0.3 dB,回波损耗小于-12 dB,裸片尺寸为4.5 mm×3.0 mm×0.07 mm.

关 键 词:陶瓷方形扁平无引脚封装  T/R  X波段  GaAs微波单片集成电路  多功能芯片

Designed of A Suit of X-band GaAs T/R Chips Based on QFN Package
XIE Yuan-yuan,JIA Yu-wei,FANG Jia-xing,ZENG Zhi,ZHOU Xin,ZHAO Zi-run.Designed of A Suit of X-band GaAs T/R Chips Based on QFN Package[J].Shipboard Electronic Countermeasure,2017,40(2).
Authors:XIE Yuan-yuan  JIA Yu-wei  FANG Jia-xing  ZENG Zhi  ZHOU Xin  ZHAO Zi-run
Abstract:
Keywords:
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