| 超低噪声场效应晶体管参数退化失效分析 |
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| 引用本文： | 胡明.超低噪声场效应晶体管参数退化失效分析[J].舰船电子对抗,2017,40(2). |
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| 作者姓名： | 胡明 |
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| 作者单位： | 海军驻上海地区航天系统军事代表室,上海,200233 |
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| 摘 要： | 某型号超低噪声场效应管使用3～5年后,在气候潮热区域和时期会集中出现饱和漏电流、跨导减小的参数退化现象.首先对失效器件进行了电特性测试、热成像分析、聚焦离子束(FIB)分析、能谱分析,通过故障树法排除了过电应力、结温过高、芯片自身缺陷等可能失效原因;其次结合失效场效应管钝化层薄、环氧胶封等工艺特点以及特殊的失效环境,通过推理假设,最终试验验证得出:低噪声场效应管在长时间高温高湿的环境下,水汽穿透场效应管的环氧胶粘合线进入管壳内部,在电场集中的漏极区域水汽发生电化学反应对芯片造成腐蚀,最终引起参数退化.
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| 关 键 词： | 超低噪声场效应管 聚焦离子束 能谱分析 环氧密封 |
Analysis of Parameter Degradation Failure of Ultra Low Noise Field-effect Transistor |
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| HU Ming.Analysis of Parameter Degradation Failure of Ultra Low Noise Field-effect Transistor[J].Shipboard Electronic Countermeasure,2017,40(2). |
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| Authors: | HU Ming |
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