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| PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究 | |
| 作者姓名： | 张翼英 杜丕一 韩高荣 翁文剑 汪建勋 |
| 作者单位： | 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 杭州310027(张翼英，韩高荣，翁文剑)，浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 杭州310027教授(杜丕一)，浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 杭州310027(汪建勋) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50372057和50332030)，教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20020335017) |
| 摘 要： | aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。 |
| 关 键 词： | a-Si1-xCx∶H薄膜 Si-C键 光学带隙 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |