| 室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究 |
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| 引用本文： | 许积文,王华,任明放,成钢.室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究[J].电工材料,2007(2):15-18. |
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| 作者姓名： | 许积文 王华 任明放 成钢 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西高校百名中青年学科带头人项目 |
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| 摘 要： | 以氧化铝(Al2O3)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础,室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响。结果表明:掺杂量大于1%(质量分数,下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长,薄膜致密无裂纹,具有光滑表面;掺杂量对薄膜的电阻率影响显著,当掺杂量为3%时,薄膜的电阻率最小,仅为7.4×10-3Ω.cm;掺杂量对薄膜的透光性无明显影响,不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90%。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ZAO薄膜 电阻率 透光率 |
| 文章编号： | 1671-8887（2007）02-0015-04 |
| 修稿时间： | 2007-02-01 |
Properties of ZAO Films Prepared by Non-reactive DC Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| XU Ji-wen,WANG Hua,REN Ming-fang,CHENG Gang.Properties of ZAO Films Prepared by Non-reactive DC Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Electrical Engineering Materials,2007(2):15-18. |
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| Authors: | XU Ji-wen WANG Hua REN Ming-fang CHENG Gang |
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| Affiliation: | Department of Information Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering ZAO thin film resistivity transmittance |
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