大直径p型探测器级硅单晶的研制 |
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引用本文: | 孙华英,陈勇刚.大直径p型探测器级硅单晶的研制[J].稀有金属,1995,19(6):420-423. |
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作者姓名: | 孙华英 陈勇刚 |
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作者单位: | 北京有色金属研究总院 |
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摘 要: | 为了满足对大直径P型探测器级硅单晶的需求,在原有小直径单晶工艺的基础上,采用线圈喷砂打毛、甩尾、保温提纯、快速成晶等技术,成功地拉制出Φ50、Φ62和Φ75的P型高阻硅单晶。用本区熔工艺拉制的单晶可做到无位错、无漩涡缺陷。对技术中涉及的有关机理进行了初步探讨。
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关 键 词: | 单晶硅 p型高阻单晶硅 无漩涡缺陷生长 |
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