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| 浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料 | |
| 引用本文： | 潘奇汉.浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料[J].稀有金属,1995,19(4):277-280. |
| 作者姓名： | 潘奇汉 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δｍａｘ－４．３；相对应的电子能量Ｅｐ＝４００ｅＶ；第一次叉点的能量约５０ｅＶ。 |
| 关 键 词： | 冷阴极材料 多孔钨 浸渍钨 次级电子发射体 |
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