| 微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 罗童,陈强.微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究[J].真空与低温,2019(1):19-23. |
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| 作者姓名： | 罗童 陈强 |
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| 作者单位： | 北京印刷学院等离子体物理与材料实验室 |
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| 摘 要： | 采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO_2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF_4、Ar和O_2等离子体,对HfO_2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO_2。采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征。实验表明,HfO_2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工。在其他参数固定的情况下,深宽比高达10∶1的结构中HfO_2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏压、CF_4/Ar/O_2混合比(Ar含量在0～100%)和工作气压的函数。在0.3 Pa气压、600 W微波功率、100 V偏置电压下,HfO_2拥有0.36 nm/min的可控刻蚀速率,利于HfO_2的精准图案化。刻蚀形貌表明,在CF_4/Ar/O_2等离子体刻蚀之后,刻蚀面非常光滑,具有0.17 nm的均方根线粗糙度。
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 HFO2 ECR 形貌 |
Study on Microwave ECR Directional Etching of HfO_2 Films in AAO Template |
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| LUO Tong,CHEN Qiang.Study on Microwave ECR Directional Etching of HfO_2 Films in AAO Template[J].Vacuum and Cryogenics,2019(1):19-23. |
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| Authors: | LUO Tong CHEN Qiang |
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| Affiliation: | (Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication,Beijing 102600,China) |
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| Abstract: | LUO Tong;CHEN Qiang(Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication,Beijing 102600,China) |
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| Keywords: | etch rate HfO2 ECR morphology |
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