InGaAsP—InP双异质结激光器的SEM观察与分析

一、绪言在光纤通信中,因为光纤在1.3～1.6微米波长处有低的损耗窗口,就需要与此对应波长的半导体激光器,用IaGaAsP—InP材料作为光恰为合适。目前激光器正向低阀值电流密度,高转换效率、长寿命等方面发展,故半导体器件的检测分析尤为重要。应用扫描电镜双异质结激光器(简称DH—Laser)管芯观察分析,可以获得工艺上极为关心的数据——有源区宽度(0.2μm)和p-n结的位置。测量的准确度高与其它方法(磨角法、电化学c—v法)。而且观察直观、数据可靠,故SEM对DH—Laser观察分析深受工艺线科研人员的重视。