| AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究 |
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| 引用本文： | 王勇,冯震,张志国.AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究[J].半导体技术,2005,30(12):49-51,56. |
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| 作者姓名： | 王勇 冯震 张志国 |
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| 作者单位： | 中电科集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中电科集团公司第十三研究所,石家庄,050051;河北工业大学信息工程学院,天津,300130 |
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| 摘 要： | 报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA.对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件.同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 跨导特性 直流特性 |
| 文章编号： | 1003-353X（2005）12-0049-03 |
| 收稿时间： | 2005-07-19 |
| 修稿时间： | 2005年7月19日 |
Study on High Transconductance Characteristics of AlGaN/GaN HEMT |
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| WANG Yong,FENG Zhen,ZHANG Zhi-guo.Study on High Transconductance Characteristics of AlGaN/GaN HEMT[J].Semiconductor Technology,2005,30(12):49-51,56. |
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| Authors: | WANG Yong FENG Zhen ZHANG Zhi-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT transconductance characteristics DC characteristics |
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