| 高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析 |
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| 引用本文： | 王昕,田蕾,李俊生,叶灿明,王世进. 高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析[J]. 仪器仪表用户, 2019, 0(8): 18-21,44 |
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| 作者姓名： | 王昕 田蕾 李俊生 叶灿明 王世进 |
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| 作者单位： | 广州市昆德科技有限公司 |
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| 摘 要： | 高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。
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| 关 键 词： | 直流光电导法 高频光电导法 注入比 少数载流子寿命 载流子复合寿命 |
In-Depth Analysis of Carrier Life of Silicon Crystals by High Frequency Photoconductivity |
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| Wang Xin,Tian Lei,Li Junsheng,Ye Canming,Wang Shijin. In-Depth Analysis of Carrier Life of Silicon Crystals by High Frequency Photoconductivity[J]. Electronic Instrumentation Customer, 2019, 0(8): 18-21,44 |
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| Authors: | Wang Xin Tian Lei Li Junsheng Ye Canming Wang Shijin |
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| Affiliation: | (Guangzhou Kunde Technology Co.,LTD.,Guangzhou,510650,China) |
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| Abstract: | Wang Xin;Tian Lei;Li Junsheng;Ye Canming;Wang Shijin(Guangzhou Kunde Technology Co.,LTD.,Guangzhou,510650,China) |
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| Keywords: | DC photoconductivity high frequency photoconductivity injection ratio minority carrier lifetime carrier recombination lifetime |
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