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| MoS_2薄膜电子性质随层数变化的理论研究 | |
| 引用本文： | 张恬,岳芳,林燕菁,周倩,史芹凡,魏云,樊代和,刘其军,刘正堂.MoS_2薄膜电子性质随层数变化的理论研究[J].电子制作．电脑维护与应用,2019(11). |
| 作者姓名： | 张恬 岳芳 林燕菁 周倩 史芹凡 魏云 樊代和 刘其军 刘正堂 |
| 作者单位： | 西南交通大学物理科学与技术学院;西北工业大学材料学院 |
| 摘 要： | 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS_2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子性质。可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值。 |
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