| 离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究 |
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| 引用本文： | 宋朝瑞,俞跃辉,邹世昌,郑志宏. 离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究[J]. 压电与声光, 2004, 26(6): 494-496,502 |
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| 作者姓名： | 宋朝瑞 俞跃辉 邹世昌 郑志宏 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | AlN薄膜作为绝缘层材料，在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜，采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究，得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明，沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N／Al，使其接近化学计量比(从0．53：1到0．81：1)及电绝缘性能(击穿电场约为1．42MV／cm)。
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| 关 键 词： | AlN薄膜 离子束增强沉积（IBED） 电绝缘性能 |
| 文章编号： | 1004-2474(2004)06-0494-03 |
Dielectric Properties of AlN Thin Films Formed by Ion Beam Enhanced Deposition |
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| SONG Zhao-rui,YU Yue-hui,ZOU Shi-chang,ZHENG Zhi-hong. Dielectric Properties of AlN Thin Films Formed by Ion Beam Enhanced Deposition[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2004, 26(6): 494-496,502 |
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| Authors: | SONG Zhao-rui YU Yue-hui ZOU Shi-chang ZHENG Zhi-hong |
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| Keywords: | AlN thin film IBED dielectric properties |
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