一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法

在Manninen等人的理论计算的基础上,根据无逃逸模型(即正电子被单空位捕获后一般不能逃逸)提出了一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法。 我们注意到Manninen的理论计算值和实验值偏离较大,认为产生这种偏离的主要原因是他们把均匀电子气中的Brandt公式运用到非均匀电子气中。考虑到正电子的湮没率λ(其倒数为寿命τ)应直接从λ=∫|ψ+(r)|~2n(r)γ(n)dr计算。式中,ψ(r)为正电子波函数,n(r)为电子密度,γ(n)为增强因子。按照无逃逸捕获模型及湮没率和单空位中电子密度的具体形式关系不大的看法,我们对Manninen利用HKS法计算所得的单空位中的正电子波函数作了球Bassel近似,对电子密度作了抛物线近似,同时取增强因子γ(n)≈γ((0)),其中n(0)为r=0处的电子密度。对于简单金属,我们得到如下公式