直流磁控溅射中矩形平面靶刻蚀形貌的数值计算及优化 |
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引用本文: | 黄英,李建军,张以忱,李傲.直流磁控溅射中矩形平面靶刻蚀形貌的数值计算及优化[J].真空科学与技术学报,2014(11):1206-1214. |
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作者姓名: | 黄英 李建军 张以忱 李傲 |
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作者单位: | 东北大学机械工程与自动化学院;沈阳真空技术研究所 |
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摘 要: | 对普通矩形平面靶的磁场分布、电子运动轨迹和电子分布进行了理论计算。通过磁场的解析表达式,解出电子在磁场中的运动方程,求得并从理论上解释了电子的运动轨迹。由电子的运动轨迹,并运用Monte Carlo方法,求得电子在磁场中的分布,得到电子分布的均值和标准差。本文通过在基片和靶材间加正向电场,改变了电子的运动轨迹和空间分布,优化了矩形平面靶的刻蚀形貌,提高了靶材利用率。
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关 键 词: | 磁控溅射 矩形靶 Monte Carlo 刻蚀形貌 利用率 |
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