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| 采用CF_4—H_2等离子体干法刻蚀SiO_2 | |
| 作者姓名： | 胡骏鹏 张贵升 周春来 |
| 作者单位： | 骊山微电子公司，骊山微电子公司，北京市仪表局职工大学毕业 实习学生 |
| 摘 要： | 本文报导了二氧化硅的一种干法刻蚀工艺,采用RF发生器和平行板电极所激励的CF_4—H_2等离子体各向异性地刻蚀二氧化硅薄膜,所获得的图形尺寸为2μm宽,0.8μm厚。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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