| GaAs太阳电池帽层腐蚀研究--GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀 |
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| 引用本文： | 公延宁,汪乐,莫金玑,夏冠群.GaAs太阳电池帽层腐蚀研究--GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀[J].太阳能学报,1999,20(2):109-115. |
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| 作者姓名： | 公延宁 汪乐 莫金玑 夏冠群 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的ＡｌＧａＡｓ表面呈现彩色的问题，从改进腐蚀液配方角度，围绕通常采用的氨水－双氧水（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系，对该问题作了深入细致的专门研究，并与柠檬酸－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）和柠檬酸－柠檬酸钾－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｋ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系作对比，最终得到了较满意的氨水－双氧水－磷酸（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２－Ｈ３ＰＯ４）新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Ａｌ组分ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结构的选择性腐蚀，而且也不会对露出的ＡｌＧａＡｓ外观产生明显影响
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| 关 键 词： | 太阳电池 帽层 窗口层 选择性腐蚀 砷化镓 薄膜 |
| 修稿时间： | 1998年1月20日 |
STUDY ON THE ETCHING TECHNOLOGY OF CAP LAYER OF GaAs SOLAR CELL-THE SELECTIVE ETCHING OF THIN FILM SEQUENCES OF GaAs/AlGaAs |
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| Gong Yanning,Wang Le,Mo Jinji,Xia Guanqun.STUDY ON THE ETCHING TECHNOLOGY OF CAP LAYER OF GaAs SOLAR CELL-THE SELECTIVE ETCHING OF THIN FILM SEQUENCES OF GaAs/AlGaAs[J].Acta Energiae Solaris Sinica,1999,20(2):109-115. |
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| Authors: | Gong Yanning Wang Le Mo Jinji Xia Guanqun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs solar cell p GaAs cap Layer p AlGaAs window layer selective etching |
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