V掺杂ZnO薄膜磁控溅射制备及其压敏性能

用磁控溅射成功制备出V掺杂ZnO压电薄膜。在不同温度对样品进行退火处理，采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的表面形貌、晶体结构和表面化学状态进行表征，并测量了不同退火温度下薄膜样品的电流密度(J)-电压(V)曲线。结果表明，高温退火后V向ZnO晶格内部迁移，引起晶格畸变，形成表面氧空位。随着退火温度的升高，非线性系数先增大后减小，薄膜的压敏电压逐渐增大，漏电流密度先减小后增大。800℃退火后样品表面氧空位浓度最高，薄膜具有较为理想的综合电性能，其非线性系数为15.19,压敏电压为5.13 V,漏电流密度为0.42μA·mm^-2。