新型SiAsP二维Janus材料电子结构和光吸收性质的第一性原理研究 |
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引用本文: | 岳子豪,张会.新型SiAsP二维Janus材料电子结构和光吸收性质的第一性原理研究[J].功能材料,2022(9):9141-9146. |
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作者姓名: | 岳子豪 张会 |
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作者单位: | 1. 沈阳大学机械工程学院;2. 沈阳大学师范学院 |
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基金项目: | 辽宁省自然科学基金项目(2020-MS-306,20180550955); |
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摘 要: | 基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对最新报道出的二维材料单层SiP2进行原子替换,预测出单层SiAs2,α-SiAsP,β-SiAsP 3种新型二维材料,并对3种材料的晶体结构、稳定性、电子能带结构和光学性质进行分析验证。通过静电势计算验证出3种材料在与平面垂直的方向具有非对称性,是Janus材料;声子谱计算结构表明3种材料具有良好的结构稳定性;电子结构计算结果表明上述材料为间接带隙半导体,带隙大小分别为2.21,2.43,1.76 eV;吸收光谱计算结果表明3种材料可以有效地吸收可见光和紫外光,其中β-SiAsP甚至可以吸收近红外光。因此,预测出单层SiAs2,α-SiAsP和β-SiAsP二维Janus材料在光学和电子领域具有一定的应用前景。
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关 键 词: | 第一性原理计算 二维Janus材料 声子色散曲线 电子结构 光吸收 |
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