| 碲硒锌镉单晶体的垂直布里奇曼法生长与性能研究 |
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| 引用本文： | 陈治,方晨旭,代轶文,李含冬.碲硒锌镉单晶体的垂直布里奇曼法生长与性能研究[J].半导体光电,2024,45(1):105-110. |
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| 作者姓名： | 陈治 方晨旭 代轶文 李含冬 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 材料与能源学院, 成都 611731 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(62374025,U20A20145).通信作者:李含冬 |
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| 摘 要： | 碲锌镉(CdZnTe)是目前最重要的室温半导体核辐射探测器材料。而在CdZnTe晶格中以Se替位部分Te得到碲硒锌镉(CdZnTeSe),将使得晶格中离子键的成分增加，从而提高晶体的硬度，降低Cd空位和Te夹杂物缺陷浓度，提升材料质量。为了获得适宜于核辐射探测器制备的CdZnTeSe晶体，研究了富Te条件下CdZnTeSe晶体的垂直布里奇曼法生长，成功制备出直径为21 mm、长度超过70 mm的Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03单晶锭。所得Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03晶体的(110)面X射线衍射摇摆半峰宽达到0.104°,而Te夹杂相的尺寸小于5μm,表明晶体具有良好结晶性。Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03晶锭尾部的能带隙和红外透过率均低于晶锭的头部和中部，这可归因于Cd0.9<...
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| 关 键 词： | CdZnTeSe 垂直布里奇曼法 晶体生长 结晶质量 |
| 收稿时间： | 2023/10/27 0:00:00 |
Growth and Properties of Cadmium Zinc Telluride Selenide Single Crystals using Vertical Bridgman Method |
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| CHEN Zhi,FANG Chenxu,DAI Yiwen,LI Handong.Growth and Properties of Cadmium Zinc Telluride Selenide Single Crystals using Vertical Bridgman Method[J].Semiconductor Optoelectronics,2024,45(1):105-110. |
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| Authors: | CHEN Zhi FANG Chenxu DAI Yiwen LI Handong |
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| Affiliation: | School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdZnTeSe vertical Bridgman method crystal growth crystal quality |
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