| GaN基材料和器件的质子辐照效应北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 谷文萍,张进成,张林,徐小波,刘盼芝.GaN基材料和器件的质子辐照效应北大核心CSCD[J].半导体技术,2016(7):514-519. |
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| 作者姓名： | 谷文萍 张进成 张林 徐小波 刘盼芝 |
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| 作者单位： | 1.长安大学电子与控制工程学院710064;2.西安电子科技大学微电子学院710071; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504011)；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(310832161002)；陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8344；2015JM6357)；大学生创新创业训练资助项目(201510710037) |
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| 摘 要： | 由于综合性能优势,GaN基功率器件更适合于卫星电子系统等空间设备中射频功率放大模块的发展需求。因此,GaN基器件及材料的辐照效应研究显得尤为重要。通过对GaN基材料和器件进行质子辐照研究,可以发现,低注量辐照增加了GaN材料的载流子浓度和迁移率,降低了材料的串联电阻。此外,辐照增加了GaN的张应力,引起了材料表面形貌恶化,而对位错密度影响甚小。对于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,辐照发生在较高注量下,器件参数才发生较为明显的退化,而且阈值电压变化最为显著,分析认为,高注量辐照时,辐照感生受主缺陷造成的二维电子气(2DEG)浓度降低是上述器件退化的主要原因。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN异质结构 质子辐照 材料表征 受主缺陷 去载流子效应 |
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