| 260 GHz GaN高功率三倍频器设计 |
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| 引用本文： | 盛百城,宋旭波,顾国栋,张立森,刘帅,万悦,魏碧华,李鹏雨,郝晓林,梁士雄,冯志红.260 GHz GaN高功率三倍频器设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2024,22(3):290-295. |
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| 作者姓名： | 盛百城 宋旭波 顾国栋 张立森 刘帅 万悦 魏碧华 李鹏雨 郝晓林 梁士雄 冯志红 |
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| 作者单位： | 1.中国电子科技集团公司 第十三研究所，河北 石家庄 050051;2.固态微波器件与电路全国重点实验室，河北 石家庄 050051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62201532) |
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| 摘 要： | 基于GaN太赫兹二极管芯片，采用非平衡式电路结构，设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率；采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波；采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示，该三倍频器在261 GHz峰值频率下，实现最大输出功率为69.1 mW，转换效率为3.3%，同时具有较好的谐波抑制特性。
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| 关 键 词： | 三倍频器 太赫兹 肖特基二极管 非平衡式 倒装 |
| 收稿时间： | 2023/6/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/8/9 0:00:00 |
Design of 260 GHz GaN frequency tripler with high output power |
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| SHENG Baicheng,SONG Xubo,GU Guodong,ZHANG Lisen,LIU Shuai,WAN Yue,WEI Bihu,LI Pengyu,HAO Xiaolin,LIANG Shixiong,FENG Zhihong.Design of 260 GHz GaN frequency tripler with high output power[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2024,22(3):290-295. |
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| Authors: | SHENG Baicheng SONG Xubo GU Guodong ZHANG Lisen LIU Shuai WAN Yue WEI Bihu LI Pengyu HAO Xiaolin LIANG Shixiong FENG Zhihong |
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| Abstract: | A 260 GHz frequency tripler based on GaN Schottky barrier diode is proposed. Unbalanced structure is adopted with GaN SBD chip to improve the tolerable power and output power of the circuit. The height-reduced and width-reduced output waveguide structure is employed to suppress the second harmonic. The input and output filter of the frequency multiplier is designed with high and low impedance strip line structure. The test results show that the frequency multiplier achieves a maximum output power of 69.1 mW and conversion efficiency of 3.3% at 261 GHz with good harmonic suppression characteristics. |
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| Keywords: | frequency triplier terahertz Schottky barrier diode unbanlanced structure flip-chip |
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