|
|||||
|
|
| 栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响 | |
| 作者姓名： | 戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016;南方科技大学,广东,深圳,518055 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。 |
| 摘 要： | 基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件.通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影响.结果表明,较小的栅介质面积有利于更长的器件寿命,而... |
| 关 键 词： | 氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管 栅介质 静电释放结构 经时击穿 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |