| 部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应 |
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| 引用本文： | 彭力,洪根深.部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应[J].微电子学,2005,35(6):597-599,611. |
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| 作者姓名： | 彭力 洪根深 |
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| 作者单位： | 无锡微电子科研中心,IC工艺实验室,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果.
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| 关 键 词： | 浮体效应 kink效应 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）06-059703 |
| 收稿时间： | 2005-06-14 |
| 修稿时间： | 2005-06-142005-09-23 |
Floating Body Effects in Partially Depleted SOI MOSFET's |
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| PENG Li,HONG Gen-shen.Floating Body Effects in Partially Depleted SOI MOSFET''''s[J].Microelectronics,2005,35(6):597-599,611. |
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| Authors: | PENG Li HONG Gen-shen |
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| Affiliation: | IC Technology Lab, Wuxi Microelectronics Research Institute, Wuxi , J iangsu 214035, P. R. China |
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| Abstract: | Floating body effects in partially depleted SOI MOSFET's are dealt with.Physical mechanism of the floating body effect is briefly described.Its test results and control methods are discussed.And finally,test results of kink effect with body tied to the source are also presented. |
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| Keywords: | SOI MOSFET |
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