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| 6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性 | |
| 引用本文： | Shep.,ST 党冀萍.6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性[J].半导体情报,1996,33(1):58-64. |
| 作者姓名： | Shep. ST 党冀萍 |
| 摘 要： | 介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是 |
| 关 键 词： | 半导体材料 反型沟道 掩埋沟道 MOS器件 |
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