6H—SiC单片NMOS数字集成电路

报道了第一宽带隙半导体ＳｉＣ数字集成电路。用离子注入ＭＯＳＦＥＴ与非自对准金属栅在增强型ＮＭＯＳ中实现这些逻辑门。已经制备并表征了反相器、ＮＡＮＤ和ＮＯＲ门、Ｄ－锁存器、ＲＳ触发电路、二元计数器和半加法器。所有电路都可以在室温３００℃范围工作。