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| In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法 | |
| 引用本文： | 管玉国,戴国瑞.In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法[J].半导体情报,1996,33(4):54-57. |
| 作者姓名： | 管玉国 戴国瑞 |
| 摘 要： | 采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。 |
| 关 键 词： | 钝化方法 界面态密度 半导体材料 |
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