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In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法
作者姓名:
管玉国 戴国瑞
摘 要:
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。
关 键 词:
钝化方法 界面态密度 半导体材料
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