星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 |
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引用本文: | 王长河.星用微电子器件辐射效应及加固途径分析[J].半导体情报,1996,33(4):6-14. |
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作者姓名: | 王长河 |
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摘 要: | 在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应,瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法,涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。
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关 键 词: | 电离辐射 瞬态辐射 抗辐射加固 微电子器件 |
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