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负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展
作者姓名:马建一 顾肇业
摘    要:阐明了负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能,论述了关于其物理机制的四种理论模型见解,介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。

关 键 词:负电子亲和势 光电阴极 化合物半导体
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