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| 超亮度InGaN单量子阱结构绿光发光二极管 | |
| 引用本文： | Nakam.,S 孙聂枫.超亮度InGaN单量子阱结构绿光发光二极管[J].半导体情报,1996,33(5):30-33. |
| 作者姓名： | Nakam. S 孙聂枫 |
| 摘 要： | 制造出了发光强度为１２ｃｄ的超高亮度ＩｎＧａＮ单量子阱结构绿光发光二极管。这些ＩｎＧａＮＳＱＡＷ绿光ＬＥＤ的发光强度大约比常规的ＧａＰ绿光ＬＥＤ（０．１ｃｄ）高１００倍。 |
| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族 氮化物 半导体 量子阱结构 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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