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| 2英寸GaAs快速热退火技术研究 | |
| 引用本文： | 张绛红,宋马成.2英寸GaAs快速热退火技术研究[J].半导体情报,1996,33(1):28-32. |
| 作者姓名： | 张绛红 宋马成 |
| 摘 要： | 为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 快速热退火 离子注入 |
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