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微片激光器阈值附近的输出光谱特性研究
引用本文:胡淼,张瑜,蔡炬,李齐良,周雪芳,魏一振,卢旸.微片激光器阈值附近的输出光谱特性研究[J].光电子.激光,2016,27(10):1036-1041.
作者姓名:胡淼  张瑜  蔡炬  李齐良  周雪芳  魏一振  卢旸
作者单位:杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018 ;上海交通大学 区域光纤通信 网与新型光通信系统国家重点实验室,上海 200240 ;成都信息工程学院 通信工程学院 ,四川 成都 610000;杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018;成都信息工程学院 通信工程学院 ,四川 成都 610000;杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018;杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018;杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018;杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018
基金项目:区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室开放基金(2015GZKF03008)、中国气象局大气探测重点开放实验室开放课题(KLAS201409)和浙江省公益技术研究工业项目(2016C31068)资助项目 1 (1.杭州电子科技大学 通信工程学院,浙江 杭州 310018; 2.上海交通大学 区域光纤通信 网与新型光通信系统国家重点实验室,上海 200240; 3.成都信息工程学院 通信工程学院 ,四川 成都 610000)
摘    要:为了确定激光晶体在不同温度下的自发辐射光谱 (荧光谱),实验研究了阈值附近微片激光器的输出 光谱特性。当抽运功率略小于阈值时,微片激光器输出经干涉的自发辐射光;当抽运功率大 于阈值时,微 片激光器输出激光。测量了激光阈值与晶体温控的关系,结果表明激光阈值随晶体温度的升 高而增加,其 变化率为0.017W/℃。在不同温控条件下,对阈值以下的自发辐射光 谱包络进行了拟合测量,结果表明随 着晶体温度的升高自发辐射光谱包络峰值降低,下降率为0.681%/℃ ;光谱包络中心波长发生红移,漂移率为3.1pm/℃。

关 键 词:微片激光器    激光阈值    光谱特性    温控
收稿时间:2/5/2016 12:00:00 AM

Investigation of output spectral characteristics near the threshold in a microch ip laser
HU Miao,ZHANG Yu,CAI Ju,LI Qi-liang,ZHOU Xue-fang,WEI Yi-zhen and LU Yang.Investigation of output spectral characteristics near the threshold in a microch ip laser[J].Journal of Optoelectronics·laser,2016,27(10):1036-1041.
Authors:HU Miao  ZHANG Yu  CAI Ju  LI Qi-liang  ZHOU Xue-fang  WEI Yi-zhen and LU Yang
Affiliation:College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China ;State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks,Shanghai JiaoTong University,Shanghai 200240,China ;Colle ge of Communication Engineering,Chengdu University of Information Technology,Che ngdu 610000,China;College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China;Colle ge of Communication Engineering,Chengdu University of Information Technology,Che ngdu 610000,China;College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China;College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China;College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China;College of Communication Engineering,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310027,China
Abstract:
Keywords:microchip laser  laser threshold  spectral characteristic  temperature control
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