| GaAs光电导探测器 |
| |
| 引用本文： | 张乃罡,林理彬,甘荣兵.GaAs光电导探测器[J].半导体技术,2001,26(6):37-39. |
| |
| 作者姓名： | 张乃罡 林理彬 甘荣兵 |
| |
| 作者单位： | 四川大学物理系，四川成都 610064 |
| |
| 摘 要： | 研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能，测量了本征GaAs探测器和经过1．6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应，并对其响应时间，后沿下降时间，半高宽（FWHM）进行对比研究，结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。
|
| 关 键 词： | 砷化镓 光电探测器 双微带结构 |
| 文章编号： | 1003-353X(2001)06-0037-03 |
| 修稿时间： | 2000年11月20日 |
GaAs photoconductor detector |
| |
| ZHANG Nai-gang,LIN Li-bin,GAN Rong-bing.GaAs photoconductor detector[J].Semiconductor Technology,2001,26(6):37-39. |
| |
| Authors: | ZHANG Nai-gang LIN Li-bin GAN Rong-bing |
| |
| Abstract: | The properties of GaAs photoconductor detector with double microstrip structure have been investigated in this paper. Having measured the response to x pulse of GaAs detector before and after I .6MeV electronic radiation, the response time, fall time of trailing edge, full width of half maximum (FWHM) are researched and contrasted. The result of research shows that the properties of GaAs detector irradiated by electron has great improvement. |
| |
| Keywords: | GaAs detector irradition |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
