湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究 |
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引用本文: | 刘瑞聪,汤培平,林康英,刘碧华,游淳毅,王泉. 湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究[J]. 化学工程, 2014, 0(6): 15-18 |
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作者姓名: | 刘瑞聪 汤培平 林康英 刘碧华 游淳毅 王泉 |
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作者单位: | 厦门大学化学化工学院; |
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摘 要: | 采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形貌和结构的变化。FESEM图像表明杂质在硅的表面呈现集中链状分布,晶粒沿着高应力和缺陷区直线式分裂;XRD数据显示,在反应过程中,杂质的析出对硅晶格结构的影响有限,晶格因温度增加、应力不平衡等因素反而呈现膨胀的趋势。研究和分析湿法冶金中硅晶体结构和形貌的变化,对于了解酸浸过程反应机理,提高湿法提纯的除杂效率,优化太阳能级硅生产工艺具有重要意义。
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关 键 词: | 太阳能硅 冶金级硅 湿法冶金 |
Hydrometallurgical purification process for preparing solar-grade silicon |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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