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| 利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率 | |
| 作者姓名： | 臧志刚 余健辉 张军 陈哲 |
| 作者单位： | 暨南大学光电信息与传感技术广东省普通高校重点实验室;暨南大学光电工程系;广东省半导体照明产业联合创新中心; |
| 基金项目： | 广东省战略新兴产业专项资金LED产业项目资助(2012A080302004);广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目资助(2012A080301002) |
| 摘 要： | 为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加,提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明,Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47mW,光谱较宽而又平坦(3dB带宽20nm)。此外,器件即使在最大输出功率下,仍然保持着稳定的单模输出。 |
| 关 键 词： | 光学器件 超辐射发光二极管 有源多模干涉器 高功率 |
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