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大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器
引用本文:车相辉,宁吉丰,张宇,赵润,任永学,陈宏泰.大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器[J].半导体技术,2014,39(6):423-427.
作者姓名:车相辉  宁吉丰  张宇  赵润  任永学  陈宏泰
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
摘    要:研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器。针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并优化了900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器的材料结构。对比扩展波导激光器结构的性能,超大光腔结构提高了三叠层隧道级联激光器输出光功率,降低了工作电压。采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了900 nm三叠层隧道级联激光器材料,并制作成条宽200μm、腔长800μm的激光器芯片,采用金属管壳封装制成激光器单管。测试结果表明,室温下,在频率10 kHz、脉宽100 ns、工作电流30 A时,器件输出功率约85 W,室温条件下器件老化595 h,输出功率基本不降低。

关 键 词:超大光腔  大功率  900  nm  半导体激光器  金属有机化学气相沉积(MOCVD)  隧道结
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