LEC法GaAs中的Si与液封剂B_2O_3,H_2O间的相互作用 |
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作者姓名: | 章敏权 邹元爔 方敦辅 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所 |
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摘 要: | 本文利用文献报道的LEC法GaAs晶体中的Si,B的红外LVM吸收光谱和SIMS分析数据,作出三条lg[Si]-lg[B]直线,其斜率分别接近于4/3,2/3,1/2.本文结合晶体生长的不同工艺条件试用熔体中Si与B_2O_3,H_2O间的相互作用,解释斜率的差异.
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