| 掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 刘汉法,张化福,类成新,袁长坤.掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究[J].半导体技术,2008,33(11). |
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| 作者姓名： | 刘汉法 张化福 类成新 袁长坤 |
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| 作者单位： | 山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049;山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049;山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049;山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049 |
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| 基金项目： | 山东理工大学功能材料创新团队支持计划项目 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向.在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO:Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω·cm.实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%.ZnO:Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
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| 关 键 词： | 掺锆氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率 |
Deposition and Properties of Transparent Conducting Zirconium-Doped Zinc Oxide Films |
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| Liu Hanfa,Zhang Huafu,Lei Chengxin,Yuan Changkun.Deposition and Properties of Transparent Conducting Zirconium-Doped Zinc Oxide Films[J].Semiconductor Technology,2008,33(11). |
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| Authors: | Liu Hanfa Zhang Huafu Lei Chengxin Yuan Changkun |
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| Affiliation: | Liu Hanfa,Zhang Huafu,Lei Chengxin,Yuan Changkun (School of Physics , Optic-Electronic Information,University of Technology of Sh,ong,Zibo 255049,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | zirconium-doped zinc oxide transparent conducting films magnetron sputtering sputtering power |
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