干法腐蚀中的损伤效应 |
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引用本文: | S.J.Fonash
,李忠义.干法腐蚀中的损伤效应[J].微电子学,1986(1). |
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作者姓名: | S.J.Fonash 李忠义 |
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摘 要: | 由定向干法腐蚀产生的半导体和绝缘体的损伤类型有内部的键损伤、杂质和腐蚀离子渗透!以及残渣涂层或薄膜形成物。这种损伤表明可以改变结构特性,化学特性和电特性。至今,克服这一问题的成功方法都集中在以液体为主的清洗步骤、湿法化学或炉子退火等方面。很显然,高温炉子退火和湿法清洗方法,在将来的器件制造过程中的应用将会更加困难。因此,人们正在把注意力转移到其它方法上。在这多方法之中有用来除去残渣、渗透层和键损伤层的各向同性(非定向的干法腐蚀和用来除去键损伤的快速热退火方法。
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