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化合物半导体材料制片技术探讨
引用本文:李金良. 化合物半导体材料制片技术探讨[J]. 半导体光电, 1989, 10(3): 74-78
作者姓名:李金良
作者单位:重庆光电技术研究所
摘    要:本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。

关 键 词:化合物 半导体 材料 制片技术

Study of the Techniques of Compound Semiconductor Wafers Process
Li Jinliang Chongqing Optoelectronics Research Institute. Study of the Techniques of Compound Semiconductor Wafers Process[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1989, 10(3): 74-78
Authors:Li Jinliang Chongqing Optoelectronics Research Institute
Affiliation:Li Jinliang Chongqing Optoelectronics Research Institute
Abstract:The factors associated with surface quality for grinding and poli- shing compound semiconductor wafers are studied,and improving means to eliminate some unfavourable factors arc presented as well.
Keywords:compound Semiconductors  Techniques of wafer process
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