| 基于GaAs IPD的小型化高选择性X波段宽带带通滤波器 |
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| 引用本文： | 赵 辉刘海文,冯林平高一强 孙晓玮. 基于GaAs IPD的小型化高选择性X波段宽带带通滤波器[J]. 微波学报, 2023, 39(2): 28-32 |
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| 作者姓名： | 赵 辉刘海文 冯林平高一强 孙晓玮 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学,西安 712000; 2. 杭州电子科技大学,杭州 310018;3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2017YFE0128200);国家自然科学基金(U1831201,62171363);陕西省重点研发计划国际科技合作计划重点项目(2022KWZ-15);陕西省重点研发计划一般项目(2022GY-095);陕西省深空探测智能信息技术重点实验室计划(2021SYS-04) |
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| 摘 要： | 文中设计并实际开发了一种基于砷化镓(Gallium Arsenide, GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)技术的小型化高选择性宽带带通滤波器。首先,所提出的带通滤波器是通过引入集总参数谐振器来设计的,以实现高选择性和宽带性能。其次,进一步研究了实现高选择性和宽带性能的工作原理。最后,为了证明所述性能,基于GaAs-IPD技术设计、制造和测量了一个紧凑型高选择性宽带带通滤波器。该滤波器工作频率覆盖了整个X波段(6～13 GHz),相对带宽为74.0%,带外实现了四个传输零点,从而实现了高选择性和良好的带外性能,芯片尺寸为0.05λ0×0.03λ0。比较了实测结果与电磁仿真结果,验证了该设计的可行性。
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| 关 键 词： | 带通滤波器 砷化镓 集成无源器件 小型化 高选择性 宽带 |
Compact High-selectivity X-band Wideband Bandpass Filter onGaAs-IPD Technology |
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| ZHAO Hui,LIU Hai-wen,FENG Lin-ping,GAO Yi-qiang,SUN Xiao-wei. Compact High-selectivity X-band Wideband Bandpass Filter onGaAs-IPD Technology[J]. Journal of Microwaves, 2023, 39(2): 28-32 |
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| Authors: | ZHAO Hui LIU Hai-wen FENG Lin-ping GAO Yi-qiang SUN Xiao-wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandpass filter Gallium Arsenide (GaAs) integrated passive device (IPD) compact high-selectivity wideband |
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