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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱
作者姓名:
戴宁
冯金福
张雷
陈良尧
陆卫
刘兴权
仲嘉林
作者单位:
[1]复旦大学李政道物理学综合实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
摘 要:
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法,以及用这种方法研究GaAlAs薄膜和GaAs体材料的结果.热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构,这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起.研究表明这种微分光谱具有简单易行,不破坏样品等特点,并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度.
关 键 词:
半导体 砷化镓 热微分反射光谱 镓铝砷
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