| 功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究 |
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| 引用本文： | 唐本奇,王燕萍,耿斌. 功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究[J]. 核电子学与探测技术, 2001, 21(5): 344-347 |
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| 作者姓名： | 唐本奇 王燕萍 耿斌 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所, |
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| 摘 要： | 建立了利用^252Gf裂片源，模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置，开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究，给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值，以及随器件偏置的变化规律。
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| 关 键 词： | 航天器 卫星 电子系统 抗辐射 加固 功率MOS器件 IBGT 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验 辐射损伤 |
| 文章编号： | 0258-0934(2001)05-0344-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-01 |
Experimental study of single event burnout and single event gate rupture in power MOSFETs and IGBT |
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| TANG Ben qi,WANG Yan ping,GENG Bin. Experimental study of single event burnout and single event gate rupture in power MOSFETs and IGBT[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2001, 21(5): 344-347 |
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| Authors: | TANG Ben qi WANG Yan ping GENG Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power MOSFET IGBT single event burnout single event gata rupture experimental simulation |
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