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| MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备 | |
| 引用本文： | 沈令康 ,蒋晋义.MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备[J].微电子学,1983(1). |
| 作者姓名： | 沈令康 蒋晋义 |
| 摘 要： | 我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs MOCVD外延生长的影响。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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