| 关于MOSFET的双峰效应量化评估研究 |
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| 引用本文： | 陆玉娥,蒋卓勤,孔凡东,刘剑. 关于MOSFET的双峰效应量化评估研究[J]. 现代电子技术, 2009, 32(5) |
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| 作者姓名： | 陆玉娥 蒋卓勤 孔凡东 刘剑 |
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| 作者单位： | 西安通信学院,陕西,西安,710106 |
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| 摘 要： | 介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法.通过对MOSFET的Id-Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估.采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系.建立了MOS的Vt 和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型.它们之间的相互关系与现存的理论一致.
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| 关 键 词： | 双峰效应 掺杂浓度 数字化评估 |
Evaluation of Double Hump Phenomenon in MOSFET |
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| LU Yu'e,JIANG Zhuoqin,KONG Fandong,LIU Jian. Evaluation of Double Hump Phenomenon in MOSFET[J]. Modern Electronic Technique, 2009, 32(5) |
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| Authors: | LU Yu'e JIANG Zhuoqin KONG Fandong LIU Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOSFET |
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