嵌入a—Si:H薄层的μc—Si/c—Si Pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟 |
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引用本文: | 林鸿生.嵌入a—Si:H薄层的μc—Si/c—Si Pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟[J].半导体技术,1999,24(6):15-19. |
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作者姓名: | 林鸿生 |
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摘 要: | 应用计算机数值模拟方法计算p^+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p^+(μc-Si:H)/i(a-Si:H_/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异
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关 键 词: | 热平衡态 异质结 太阳电池 μc-Si:H 数值模拟 |
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