| 直流、射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及电学性能分析 |
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| 作者姓名： | 沈月 张以棚 许彦亭 巢云秀 唐可 王传军 闻明 |
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| 作者单位： | 1.云南贵金属实验室有限公司,稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明 650106;2.云南省林业调查规划院,昆明 650051 |
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| 基金项目： | 云南贵金属实验室科技计划重大科技专项(YPML-2023050207);云南省科技计划基础研究专项(202201AT070249);云南省基础研究计划青年项目(2019FD140);云南省重大科技专项(202102AB080008-4);云南贵金属实验室科技计划关键技术专项(YPML-2022050216);云南省科技厅科技人才和平台计划(202205AD160052);云南省张广平专家工作站(202305AF150171) |
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| 摘 要： | 为了探索直流和射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及性能差异,进而指导薄膜制备工艺优化.采用直流和射频磁控溅射法在 SiO2/Si(100)衬底上沉积不同时间和温度的钌薄膜;通过高分辨场发射扫描电镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针等方法研究不同溅射电源下制备的钌薄膜的微观结构和电学性能.结果表明,在相同溅射条件下,DC-Ru薄膜的结晶性优于RF-Ru薄膜;其厚度大于RF-Ru薄膜,满足tDC≈2tRF;其沉积速率高于RF-Ru薄膜,满足vDC≈2vRF.然而,其电阻率却高于 RF-Ru 薄膜,这主要得益于 RF-Ru 薄膜的致密度较高,从而降低了电子对缺陷的散射效应.
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 射频磁控溅射 钌薄膜 微观结构 电阻率 |
| 收稿时间： | 2023-03-09 |
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