| 纳秒脉冲驱动下铝基微沟道等离子体放电特性研究北大核心CSCD |
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| 作者姓名： | 麻晓琴 周璇 王耀功 杨静远 张小宁 |
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| 作者单位： | 1.西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室710049;2.西安交通大学电子与信息工程学院710049;3.生态环境部核与辐射安全中心100082; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(批准号:51807156,61771382)；陕西省国际合作计划项目(批准号:2018KW-034)；中国博士后科学基金面上项目(批准号:2017M623174) |
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| 摘 要： | 本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性。通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律。结果表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电更集中,耦合效应更明显,且等离子体特性更易于调控。当改变脉冲参数时,6%左右的波形过冲电压会造成微沟道等离子体放电强度~30%的改变。另外,脉冲上升沿时间越短,放电强度越高,当上升沿时间由152 ns缩短至32 ns时,放电强度可提升~30%。
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| 关 键 词： | 微沟道器件 微沟道等离子体 双极性脉冲 等离子体传输 |
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