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| 功率VDMOS的EMI分析 | |
| 作者单位： | ;1.中国振华集团永光电子有限公司;2.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
| 摘 要： | 针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰(EMI)问题,对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及VDMOS样管的动态特性测试,提出了功率VDMOS的EMI噪声优化方案。分析结果表明:适当增大VDMOS的寄生栅电阻R_g,增大VDMOS的输入电容C_(iss)和米勒电容C_(gd)可改善VDMOS器件EMI性能,但这会增加VDMOS器件的开关损耗。因此,在器件设计时需根据实际应用折中考虑。 |
| 关 键 词： | 功率VDMOS 电磁干扰 振荡 栅电阻 输入电容 米勒电容 |
Analysis of EMI of the power VDMOS |
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